網友ded4135 2018-04-25

進入3D時代之後，快閃記憶體從平面擴充套件變為垂直方向堆疊，相應的奈米工藝也發生一定回退。比如三星第一代3D快閃記憶體（32層堆疊）問世時從當時平面快閃記憶體的19nm直接退回到幾年前的40nm工藝，單容量相比19nm平面快閃記憶體卻有一定提升。

一方面，採取老的納米制程有助於快閃記憶體耐久度提升，另一方面奈米工藝製程不再直接影響快閃記憶體容量和效能，所以現在快閃記憶體顆粒只講堆疊層數和儲存密度，不再將納米制程放在明面上。不過相信很多朋友還是非常關心具體數值的。儲存即可就來透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D快閃記憶體（32層堆疊）使用的也是40nm工藝，第二代64層堆疊產品才降至20nm。

東芝最早提出了3D快閃記憶體結構，在應用推廣上晚於三星一些，主要是為了等待技術的成熟。第一代48層堆疊3D快閃記憶體（東芝稱BiCS2）就使用了19。5nm工藝，當代64層堆疊3D快閃記憶體（東芝稱BiCS3）則使用當前領先的19nm工藝製造。

BiCS2主要見於手機等移動儲存晶片，譬如iPhone7 256G中使用的就是編號為THGBX6T1T82LFXF的東芝快閃記憶體晶片。

BiCS23D快閃記憶體內部結構：

最新一代的BiCS3，也就是東芝64層3D快閃記憶體的儲存密度相比2D TLC快閃記憶體提升2。8倍，達到每平方毫米麵積的晶片可記憶3。4Gb資料。最早使用它的是東芝原廠TR200固態硬碟。由於2。5寸規格空間充裕，TR200的快閃記憶體採用了多顆TSOP封裝的顆粒，容量不變價格更便宜。TR200也是當前最便宜的原廠3D快閃記憶體固態硬碟之一，穩定耐用價格實惠。

東芝BiCS3快閃記憶體的內部結構圖，電子顯微鏡掃描：

相比NAND快閃記憶體，原本是半導體制程應用急先鋒的記憶體已經落後不少，當前最新的記憶體晶片還停留在18nm 2D水平上。由於三星的壟斷，記憶體價格始終居高不下，也遲遲沒有邁向3D化的動作。

其實早在幾年前就已經有3D記憶體理論被提出，基本原理與3D快閃記憶體類似，只不過推進3D化會增加短時內研發成本，而現在高度壟斷之下躺著就能賺錢，又怎會積極推動技術跨越呢？

近期記憶體、固態硬碟價格都有所回落，但從降幅來說，現在固態硬碟顯然要比記憶體更值得買。據市場研究機構分析，近幾個月將是快閃記憶體價格本年度內的低谷，也就是入手固態硬碟的最佳時機。要不要上車，大家看著辦咯。