sunny夢顏11 2022-10-13

1。CP （Chip Probing 晶片/晶片+測試/探測）： 顧名思義，測試晶片的電性引數。測試的是晶圓中的每一個晶片（die），目的是剔掉次品以減少後續封裝的成本

2。CVD （chemical vapor deposition 化學氣相沉積）： 利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。具體的有如MOCVD（金屬氧化物～）和PECVD（等離子體增強～）

3。Datasheet （規格/說明書）： 總結產品、機器、部件（例如電子部件）、材料、子系統（例如電源）的效能和其他特性的檔案

4。Die （晶片）： 單個完整的積體電路器件

5。Eg （band gap 禁頻寬度）： 也叫“能帶”，是固體中沒有電子狀態的能級範圍，是決定固體材料導電特性的關鍵引數。具有大禁頻寬度的屬於絕緣體；小禁頻寬度的屬於半導體；沒有或具有很小禁頻寬度的為導體

6。FT （Final Test 出廠測試）： 對封裝好的晶片進行測試。通常測試項比CP要少得多，因為之前已經測過了

7。RDS（on） 導通電阻： 也簡稱“RDS”或者“Ron”，器件非常重要的一種特性。定義：電晶體導通後兩端電壓與導通電流之比。其值越大意味著電流/功率損耗越大，因此一般越小越好。